江苏鑫华半导体科技申请一种可长期脱嵌锂的硅碳材料及其制备和应用专利，显著提升电化学装置的脱嵌锂能力及倍率性能

admin 2025-02-09 共89人围观，发现32个评论

金融界2024年8月30日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种可长期脱嵌锂的硅碳材料及其制备和应用“，公开号，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明涉及负极材料及电池技术领域，尤其涉及一种可长期脱嵌锂的硅碳材料，包括碳前体、沉积在所述碳前体孔隙内的纳米硅，以及包覆在所述碳前体和所述纳米硅外侧的表面包覆层；所述碳前体的比表面积为Am2/g，所述碳前体的孔隙面积为Bm2/g，其中1000≤A≤3000，400≤B≤2700，0.4≤B/A≤0.9。本发明通过限制硅碳材料的碳前体内部及表面特征、硅碳材料颗粒体积分布及元素含量分布，通过控制孔隙面积和孔径分布，实现了高孔隙率与优良锂离子传输性能的平衡。这不仅有利于锂离子的快速扩散，也提高了材料的倍率性能。显著提升电化学装置的脱嵌锂能力及倍率性能，更有利于商业化扩展。